STW3N170（ST 意法半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247-3）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STW3N170

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：PowerMESH?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1700V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 欧姆 @ 1.3A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：44nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：160mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-247-3

STW3N170，ST（意法半导体）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：STW3N170

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询STW3N170的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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