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规格参数
制造商产品型号:STU7NM60N制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:MDmesh? II零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):900 毫欧 @ 2.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):363pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):45W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:I-PAKSTU7NM60N,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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