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规格参数
制造商产品型号:STU7N65M6制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:MDmesh? M6零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):990毫欧 @ 2.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.75V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.9nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):220pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):60W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:I-PAKSTU7N65M6,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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