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零件图片（仅供参考）
STS5DP3LLH6
规格参数
  • 制造商产品型号：STS5DP3LLH6
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：DeepGATE?, STripFET? H6
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：639pF @ 25V
  • 功率-最大值：2.7W
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STS5DP3LLH6
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询STS5DP3LLH6的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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