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零件图片(仅供参考)
STS5DP3LLH6
规格参数
  • 制造商产品型号:STS5DP3LLH6
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:DeepGATE?, STripFET? H6
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):56 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):639pF @ 25V
  • 功率-最大值:2.7W
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:STS5DP3LLH6
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询STS5DP3LLH6的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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