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规格参数
制造商产品型号：STH210N75F6-2制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：DeepGATE?, STripFET? VI零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：75V25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 90A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：171nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11800pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：300W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：H2Pak-2STH210N75F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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