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零件图片（仅供参考）
STGD3NB60SD-1
规格参数
  • 制造商产品型号：STGD3NB60SD-1
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：6A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：25A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：48W
  • 开关能量：1.1mJ（开），1.15mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：18nC
  • 25°C时Td（开/关）值：125μs/3.4μs
  • 测试条件：480V，3A，1 千欧，15V
  • 反向恢复时间(trr)：1.7μs
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • STGD3NB60SD-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGD3NB60SD-1
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 6A 48W DPAK
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGD3NB60SD-1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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