STGD3HF60HDT4（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGD3HF60HDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 7.5A 38W DPAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：7.5A

电流-集电极脉冲(Icm)：18A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.95V @ 15V，1.5A

功率-最大值：38W

开关能量：19μJ（开），12μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：12nC

25°C时Td（开/关）值：11ns/60ns

测试条件：400V，1.5A，100 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：85ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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基本参数：

电子零件型号：STGD3HF60HDT4

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 600V 7.5A 38W DPAK

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGD3HF60HDT4的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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