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零件图片(仅供参考)
STGD10NC60HT4
规格参数
  • 制造商产品型号:STGD10NC60HT4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 20A 60W DPAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):20A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:60W
  • 开关能量:31.8μJ(开),95μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:19.2nC
  • 25°C时Td(开/关)值:14.2ns/72ns
  • 测试条件:390V,5A,10欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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    基本参数:
  • 电子零件型号:STGD10NC60HT4
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体)
  • 技术标准参数:IGBT 600V 20A 60W DPAK
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGD10NC60HT4的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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