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零件图片（仅供参考）
STGD10NC60HT4
规格参数
  • 制造商产品型号：STGD10NC60HT4
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：IGBT 600V 20A 60W DPAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A
  • 功率-最大值：60W
  • 开关能量：31.8μJ（开），95μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：19.2nC
  • 25°C时Td（开/关）值：14.2ns/72ns
  • 测试条件：390V，5A，10欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGD10NC60HT4
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 20A 60W DPAK
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGD10NC60HT4的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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