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零件图片(仅供参考)
STGB30H60DLLFBAG
规格参数
  • 制造商产品型号:STGB30H60DLLFBAG
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:HB
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 5V,30A
  • 功率-最大值:260W
  • 开关能量:600μJ(关)
  • 输入类型:逻辑
  • 栅极电荷:110nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-/320ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,5V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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    基本参数:
  • 电子零件型号:STGB30H60DLLFBAG
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体)
  • 技术标准参数:IGBT
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGB30H60DLLFBAG的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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