STGB30H60DLLFBAG（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGB30H60DLLFBAG

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：HB

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：60A

电流-集电极脉冲(Icm)：120A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 5V，30A

功率-最大值：260W

开关能量：600μJ（关）

输入类型：逻辑

栅极电荷：110nC

25°C时Td（开/关）值：-/320ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，5V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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基本参数：

电子零件型号：STGB30H60DLLFBAG

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGB30H60DLLFBAG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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