STB8NM60N（ST 意法半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STB8NM60N

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：MDmesh? II

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 3.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：70W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：D2PAK

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基本参数：

电子零件型号：STB8NM60N

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询STB8NM60N的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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