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零件图片(仅供参考)
STB8NM60N
规格参数
  • 制造商产品型号:STB8NM60N
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:MDmesh? II
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):650 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):560pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D2PAK
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    基本参数:
  • 电子零件型号:STB8NM60N
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询STB8NM60N的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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