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零件图片（仅供参考）
STB12NM60N
规格参数
  • 制造商产品型号：STB12NM60N
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：MDmesh? II
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：410 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STB12NM60N
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询STB12NM60N的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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