SCT20N120（ST 意法半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SCT20N120

制造商：STMicroelectronics

描述：SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200V

25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 10A，20V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：175W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：HiP247?

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基本参数：

电子零件型号：SCT20N120

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SCT20N120的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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