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零件图片（仅供参考）
PD20010-E
规格参数
  • 制造商产品型号：PD20010-E
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：2GHz
  • 增益：11dB
  • 电压-测试：13.6V
  • 额定电流（安培）：5A
  • 噪声系数：-
  • 电流-测试：150mA
  • 功率-输出：10W
  • 电压-额定：40V
  • 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
  • PD20010-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：PD20010-E
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 点击此处查询PD20010-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    SERC816
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    STM32L081CZT6
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    嵌入式 - 微控制器
    STM32F100CBT6B
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    嵌入式 - 微控制器
    M34E02-FDW6TP
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    存储器
    STM32F105VBH6TR
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    嵌入式 - 微控制器
    LD1084D2M-R
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